SanDisk于日前表示，正與東芝(Toshiba)合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠(Fab 5)第二期工程,，并共同展開3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā),，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸，預(yù)做準(zhǔn)備,。

SanDisk亞太區(qū)副總裁吳家榮表示,，SanDisk確實(shí)已與東芝于合資的五號(hào)半導(dǎo)體廠投入3D NAND記憶體技術(shù)研發(fā),，積極卡位市場(chǎng)先機(jī)。

SanDisk亞太區(qū)副總裁吳家榮表示,，隨著智慧型手機(jī),、平板裝置及超輕薄筆電(Ultrabook)配備NAND Flash和固態(tài)硬碟(SSD)比重不斷攀升，NAND Flash記憶體市場(chǎng)將持續(xù)供不應(yīng)求,，因而吸引各NAND Flash供應(yīng)商紛紛投入擴(kuò)產(chǎn),，以紓解供貨緊縮的問題。

吳家榮進(jìn)一步指出,，該公司與東芝合資的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠,，即將啟動(dòng)第二期擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，將持續(xù)采用最先進(jìn)的19奈米制程技術(shù),，預(yù)定于2014年下半年正式投產(chǎn),；此外，SanDisk亦將藉由該工廠進(jìn)行3D NAND技術(shù)的研發(fā),。

據(jù)了解,，五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠第二期擴(kuò)產(chǎn)工程，一方面將導(dǎo)入19奈米制程投產(chǎn)2D NAND Flash記憶體,；另一方面則采用BiCS(Bit Cost Scalable)技術(shù)試量產(chǎn)3D NAND記憶體,，該技術(shù)標(biāo)榜具備高性能、低成本且架構(gòu)可擴(kuò)充性的優(yōu)勢(shì),，已于先前由東芝率先發(fā)表,，而SanDisk已規(guī)畫采用該項(xiàng)技術(shù),，生產(chǎn)3D NAND快閃記憶體產(chǎn)品,，并預(yù)計(jì)于2016年投產(chǎn)首款3D NAND記憶體。

針對(duì)SanDisk是否會(huì)選用3D NAND記憶體技術(shù)發(fā)展10奈米以下的制程,，吳家榮說明,，該公司目前無法對(duì)外說明3D NAND記憶體技術(shù)的制程規(guī)畫藍(lán)圖，但可預(yù)見的是,，相較于過去每一代NAND Flash制程節(jié)點(diǎn)差距動(dòng)輒10奈米以上,，進(jìn)入19奈米以后，制程微縮的節(jié)點(diǎn)間隔將明顯縮小,。

顯而易見,，2D NAND記憶體技術(shù)即將面臨發(fā)展瓶頸，而3D NAND記憶體將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑,，也因此,，除東芝和SanDisk之外，三星(Samsung),、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND記憶體技術(shù)布局,。其中,，三星預(yù)定于2014年量產(chǎn)3D NAND記憶體。