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SanDisk于日前表示,，正與東芝(Toshiba)合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導體制造工廠(Fab 5)第二期工程,，并共同展開3D NAND記憶體技術的研發(fā),，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節(jié)點面臨微縮瓶頸,，預做準備。

SanDisk亞太區(qū)副總裁吳家榮表示,，SanDisk確實已與東芝于合資的五號半導體廠投入3D NAND記憶體技術研發(fā),，積極卡位市場先機,。

SanDisk亞太區(qū)副總裁吳家榮表示,，隨著智慧型手機、平板裝置及超輕薄筆電(Ultrabook)配備NAND Flash和固態(tài)硬碟(SSD)比重不斷攀升,，NAND Flash記憶體市場將持續(xù)供不應求,，因而吸引各NAND Flash供應商紛紛投入擴產(chǎn)，以紓解供貨緊縮的問題,。

吳家榮進一步指出,，該公司與東芝合資的五號半導體制造工廠，即將啟動第二期擴產(chǎn)計劃,，將持續(xù)采用最先進的19奈米制程技術,，預定于2014年下半年正式投產(chǎn)；此外,，SanDisk亦將藉由該工廠進行3D NAND技術的研發(fā),。

據(jù)了解，五號半導體制造工廠第二期擴產(chǎn)工程,，一方面將導入19奈米制程投產(chǎn)2D NAND Flash記憶體,；另一方面則采用BiCS(Bit Cost Scalable)技術試量產(chǎn)3D NAND記憶體，該技術標榜具備高性能,、低成本且架構可擴充性的優(yōu)勢,，已于先前由東芝率先發(fā)表，而SanDisk已規(guī)畫采用該項技術,，生產(chǎn)3D NAND快閃記憶體產(chǎn)品,，并預計于2016年投產(chǎn)首款3D NAND記憶體。

針對SanDisk是否會選用3D NAND記憶體技術發(fā)展10奈米以下的制程,，吳家榮說明,，該公司目前無法對外說明3D NAND記憶體技術的制程規(guī)畫藍圖，但可預見的是,，相較于過去每一代NAND Flash制程節(jié)點差距動輒10奈米以上,，進入19奈米以后，制程微縮的節(jié)點間隔將明顯縮小,。

顯而易見,，2D NAND記憶體技術即將面臨發(fā)展瓶頸，而3D NAND記憶體將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑，也因此,，除東芝和SanDisk之外,，三星(Samsung)、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND記憶體技術布局,。其中,，三星預定于2014年量產(chǎn)3D NAND記憶體。