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SanDisk于日前表示，正與東芝(Toshiba)合力擴建位于日本三重縣四日市的五號半導(dǎo)體制造工廠(Fab 5)第二期工程，并共同展開3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā),，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米(nm)節(jié)點面臨微縮瓶頸,，預(yù)做準(zhǔn)備。

SanDisk亞太區(qū)副總裁吳家榮表示,，SanDisk確實已與東芝于合資的五號半導(dǎo)體廠投入3D NAND記憶體技術(shù)研發(fā),，積極卡位市場先機。

SanDisk亞太區(qū)副總裁吳家榮表示,，隨著智慧型手機,、平板裝置及超輕薄筆電(Ultrabook)配備NAND Flash和固態(tài)硬碟(SSD)比重不斷攀升，NAND Flash記憶體市場將持續(xù)供不應(yīng)求,，因而吸引各NAND Flash供應(yīng)商紛紛投入擴產(chǎn),，以紓解供貨緊縮的問題。

吳家榮進(jìn)一步指出,，該公司與東芝合資的五號半導(dǎo)體制造工廠,，即將啟動第二期擴產(chǎn)計劃，將持續(xù)采用最先進(jìn)的19奈米制程技術(shù),，預(yù)定于2014年下半年正式投產(chǎn),；此外，SanDisk亦將藉由該工廠進(jìn)行3D NAND技術(shù)的研發(fā),。

據(jù)了解,，五號半導(dǎo)體制造工廠第二期擴產(chǎn)工程，一方面將導(dǎo)入19奈米制程投產(chǎn)2D NAND Flash記憶體,；另一方面則采用BiCS(Bit Cost Scalable)技術(shù)試量產(chǎn)3D NAND記憶體,，該技術(shù)標(biāo)榜具備高性能、低成本且架構(gòu)可擴充性的優(yōu)勢,，已于先前由東芝率先發(fā)表,，而SanDisk已規(guī)畫采用該項技術(shù)，生產(chǎn)3D NAND快閃記憶體產(chǎn)品,，并預(yù)計于2016年投產(chǎn)首款3D NAND記憶體,。

針對SanDisk是否會選用3D NAND記憶體技術(shù)發(fā)展10奈米以下的制程，吳家榮說明,，該公司目前無法對外說明3D NAND記憶體技術(shù)的制程規(guī)畫藍(lán)圖,，但可預(yù)見的是，相較于過去每一代NAND Flash制程節(jié)點差距動輒10奈米以上,，進(jìn)入19奈米以后,，制程微縮的節(jié)點間隔將明顯縮小。

顯而易見,，2D NAND記憶體技術(shù)即將面臨發(fā)展瓶頸,，而3D NAND記憶體將成為提高NAND Flash密度和降低成本的必然途徑,，也因此，除東芝和SanDisk之外,，三星(Samsung),、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND記憶體技術(shù)布局。其中,，三星預(yù)定于2014年量產(chǎn)3D NAND記憶體,。